掃描電鏡在使用中經(jīng)常遇到的問(wèn)題主要包括但不限于以下幾個(gè)方面：

1. 圖像顯示問(wèn)題

無(wú)圖像顯示：這可能是由于電源未連接正常、計(jì)算機(jī)連接錯(cuò)誤、驅(qū)動(dòng)程序未安裝或電子束管電流和電壓設(shè)置不正確等原因?qū)е碌摹?/span>

圖像模糊：可能由試樣臺(tái)和透鏡的灰塵、電子槍聚焦和透鏡設(shè)置不當(dāng)、加速電壓設(shè)置不合適或試樣臺(tái)不平穩(wěn)引起。

圖像偏斜或傾斜：這通常與試樣臺(tái)的水平度、移動(dòng)穩(wěn)定性或計(jì)算機(jī)連接的穩(wěn)定性有關(guān)。

圖像亮度不均勻：電子槍亮度設(shè)置不當(dāng)、透鏡和投影系統(tǒng)的污垢或缺損以及電子束的開(kāi)啟時(shí)間和掃描速度設(shè)置不合適都可能導(dǎo)致此問(wèn)題。

2. 樣品問(wèn)題

樣品飄移：這可能是由于樣品固定不牢固、導(dǎo)電性較差、電子束輻照導(dǎo)致導(dǎo)電膠收縮或樣品未充分干燥等原因引起的。樣品飄移會(huì)嚴(yán)重影響圖片的拍攝和能譜分析。

樣品截面制樣：對(duì)于不同類型的樣品（如脆性薄片、高分子聚合物等），需要采用不同的制樣方法，如液氮脆斷、離子切割或冷凍超薄切片等，以確保獲得高質(zhì)量的截面圖像。

3. 電磁干擾問(wèn)題

電磁干擾或波紋：SEM掃描電鏡設(shè)備可能受到其他電磁干擾源（如高頻設(shè)備）的影響，導(dǎo)致圖像中出現(xiàn)干擾或波紋。此時(shí)，需要將掃描電鏡設(shè)備與其他電磁干擾源保持一定距離，并確保電源線正確接地。

4. 設(shè)備操作與維護(hù)問(wèn)題

操作不當(dāng)：如調(diào)焦時(shí)不慎使物鏡碰到試樣、在載物臺(tái)墊片圓孔中心位置遠(yuǎn)離物鏡中心時(shí)切換物鏡等，都可能對(duì)設(shè)備造成損害。

設(shè)備維護(hù)：非專業(yè)人員不應(yīng)隨意調(diào)整顯微鏡照明系統(tǒng)（如燈絲位置），以免影響成像質(zhì)量。更換鹵素?zé)魰r(shí)需注意高溫，避免灼傷，并確保不直接用手接觸鹵素?zé)舻牟Ａw。設(shè)備不使用時(shí)應(yīng)及時(shí)關(guān)掉電源，以延長(zhǎng)設(shè)備壽命。

5. 數(shù)據(jù)解釋問(wèn)題

元素分布圖的噪點(diǎn)：在EDS（能量色散光譜儀）測(cè)試中，即使某些元素在樣品中的含量很低或?yàn)榱?，mapping元素分布圖中也可能出現(xiàn)噪點(diǎn)。因此，在解釋數(shù)據(jù)時(shí)，應(yīng)以定量數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。

6. 樣品導(dǎo)電性問(wèn)題

不導(dǎo)電樣品的處理：在SEM掃描電鏡測(cè)試中，不導(dǎo)電的樣品需要進(jìn)行導(dǎo)電處理（如噴金、噴鉑或噴碳），以避免充電和放電效應(yīng)對(duì)形貌圖觀察和拍照記錄的影響。然而，這些導(dǎo)電層可能會(huì)影響EDS測(cè)試中對(duì)其他元素的能譜分析。

綜上所述，掃描電鏡在使用中可能會(huì)遇到多種問(wèn)題，這些問(wèn)題涉及圖像顯示、樣品處理、電磁干擾、設(shè)備操作與維護(hù)以及數(shù)據(jù)解釋等多個(gè)方面。為了獲得高質(zhì)量的測(cè)試結(jié)果，用戶需要熟練掌握SEM掃描電鏡的操作技能，并嚴(yán)格按照操作規(guī)程進(jìn)行操作和維護(hù)。